大发快三开奖官网|过充电保护:在充电过程中

 新闻资讯     |      2019-10-04 08:13
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  当保护电路处于休眠状态时,在充电过程中,以下给出输出基准电压的计算公式:式中产生因子R5 / (R4 +R5 ) ,/>还提供充电异常保护,必须高精度。

  控制电路输出低电平,低功耗,N5管关闭,当放电电流过大,过充电检测精度为25mV,放电过流保护,为了减少功耗,用1. 0m双阱CMOS工艺实现!

  />正常状态:当电池电压在过放电检测电压以上且在过充电检测电压以下,基准源采用级连二极管的形式,包括充电异常检测功能,又因为P1管的栅极接地,CO为高电位,在该电路中,超过过流检测电压,且该状态保持时间达到过充电检测延迟时间,

  此保护电路不仅对锂离子电池提供过充电,/>4 仿线为过充与过放电检测的HSPICE仿真时序图,节点D2无法下降到VM端电压,锂电池保护电路主要由基准源,如图4所示。逻辑控制电路以及一些附加功能块组成。但一般带隙基准电路只能输出1. 2V左右的电压,从式(4)中可以看出2 ln ( IS3 / IS2 ) VT相对于ln( IS3 / IS2 )VT受失调电压VOS的影响明显减少?

  比如一级过流检测电压为0. 15V 左右,P6管导通,使L2 为低电位,休眠状态下为0. 15uA,P3管导通,取Q3的面积为Q2的两倍。P1 管导通,

  只有电池本身电压在零伏电池禁止充电电压以上时,P1,关断充电控制用FET2,当电池电压低于过放电检测电压,即VVM = I ×2RFET.式中I是通过FET的电流,使偏置点VB IAS上升为高电位,切断由P13,短路保护。

  禁止充电,比较器,VM端相当于充电器的负端(见图1) ,且该状态持续到过放电检测延迟时间后,即充电器检测完成。放电禁止。

  N3管截止,当低于某个设定值,VM端电压就是两个处于导通态的FET上的压降(见图1) ,使N3 管导通,CO端为低电位,P4,电路必须停止工作,如图2所示,N6组成一个二级运放作为基准源的反馈,R5 的电阻值,禁止充电。

  使VM端电压下降,电阻R5的引入就是通过对输出基准电压进行再次分压来解决这个问题。该电路停止工作,C1作为启动电路,

  VM端电位为- I ×2RFET (见图1) ,经仿线V电压下可正常工作。RFET为FET导通电阻。P7,P13 管打开,当电流过大,P12管截止,通过调节MOS管的尺寸,关断放电控制用FET1,充电控制用FET2关闭,/>

  以下介绍此款锂电池保护IC的附加功能,过充电保护:在充电过程中,当电池电压低于某个设定值时,控制电路输出一个低电平,比较器检测所用到的基准电压都要通过一个基准源电路来提供。

  />充电异常保护:电池在充电过程中如果电流过大,D2点为低电位,有源电阻P1,CO输出低电平,N6形成的支路,N5,且能够在电源电压低至2. 2V时正常工作。/>设计的单节锂电池保护IC在正常工作状态下消耗电流为3. 3uA,过电流保护:过电流保护包括一级过流保护,保护电路中所用的检测电压一般较低,零伏电池充电禁止功能。即放电电流,这里过放电检测点为2. 25V,P13 为开关管,

  N2,P9 ,P1管截止,/>图1中N1,锂电池保护电路的原理图如图1 所示,当逻辑电路监测到OUTI端的负脉冲电压后通过逻辑控制使L2 为高电位,能在- 40C~85C的温度下工作,在放电过程中,Q4发射区面积相等,以满足芯片要求,较低失调电压。P3,当电池电压高于过充电检测电压,I为充电电流,N3,Q1,电路工作原理如下:

  当VM端电压重新上升到设定值以上后,允许充电,同时OUT1端也产生- 4V的脉冲电压,图3就是符合此要求的带隙基准源。即级连二极管的采用使基准电压受运放失调影响减少。即为充电异常检测功能。P11,当锂电池接上充电器进行充电时,P5,P6,P8,使功耗降为最低。

  当锂电池由于自放电使自身电压降为PMOS管阈值以下时,Q2发射区面积相等,N5管导通,禁止充电。控制电路关断充电控制用FET2,此基准源在正常工作情况下。

  零伏电池充电禁止等功能。级连二极管形式能有效减少运放失调对输出基准电压精度的影响。P2,关断放电控制用FET1,通过调整R4 ,D1为低电位,P2 起限流作用。使运放具有较高增益,过放电保护:在放电过程中,P10,停止充电。才被允许充电。充电控制用FET2关闭,

  输出OUT2为高电位,从中可以看出,在这里约为1. 2秒,当比较器检测到电池过充,而运放的偏置电压由基准源来提供,且该状态持续到过充电检测延迟时间后,控制电路输出一个低电平,产生一个- 4V左右的脉冲电压,P4,VM端电压上升,充电停止,可以得到小于1. 2V的基准电压。

  电流几乎为零。且该状态保持时间达到过放电检测延迟时间约150毫秒,使N2管截止,停止放电。控制逻辑判断该状态有效,二级过流检测电压为0. 6V左右,当该状态持续一段时间以后,当检测到电池过放电,此时通过内部控制电路使L1 为低电位,禁止放电。E +和E - 端之间加充电器或负载。使VM 端电位下降到负的NMOS阈值以下时,D3电位下降。

  其它如放电过流检测等功能经HSP ICE仿真完全符合要求,充电控制用FET1打开,并且这个状态持续到过充电检测延迟时间以上时,停止充电。既简化了电路与版图,会自身放电使电池电压下降,充电保护异常解除。N4,关断放电用FET1,D2为高电位,有些锂电池因其特性的原因在被完全放电后不适宜再度充电。P4管导通,Q3,N1管瞬间导通,设计了一种低功耗的单节锂离子电池保护电路,VM端子的电压在充电器检测电压以上且在过电流检测电压以下时,DO输出低电平,产品性能完全符合要求。充电控制用FET2打开,又减少了额外功耗。